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電源DDR硬件設(shè)計(jì)技巧

1、電源DDR的分類A、主電源VDD和VDDQ主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給內(nèi)核供電。但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有專門的VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓、電流是否滿足要求。電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平面
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雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR）內(nèi)存簡介

了解雙數(shù)據(jù)速率（DDR）存儲(chǔ)器的關(guān)鍵概念和圍繞這一數(shù)字通信技術(shù)的應(yīng)用，其中兩個(gè)數(shù)據(jù)字在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸。串行數(shù)據(jù)傳輸比并行數(shù)據(jù)傳輸具有重要優(yōu)勢(shì)，并且在許多系統(tǒng)中，這些優(yōu)勢(shì)足夠顯著，足以證明添加串行化和反串行化并行數(shù)據(jù)的電路是合理的，從而可以將其作為串行數(shù)據(jù)傳輸。然而，計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器是并行數(shù)據(jù)傳輸仍然普遍存在的一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。由于它們可以同時(shí)讀取和寫入許多數(shù)字信號(hào)，并行接口速度很快，設(shè)計(jì)師們一直在尋找使其更快的方法。一種用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率的大幅提高的古老但仍然相關(guān)的技術(shù)被稱為雙泵浦，而這一特性正是將存儲(chǔ)器系
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存儲(chǔ)大廠現(xiàn)場展示HBM3E產(chǎn)品

近日，存儲(chǔ)大廠美光科技在GTC 2024活動(dòng)，展示一系列存儲(chǔ)解決方案。該公司此前剛宣布8層堆疊HBM3E已量產(chǎn)，并預(yù)計(jì)2024年第二季搭配NVIDIA H200 GPU出貨。美光展示的解決方案，分別包括8層堆疊24GB HBM3E解決方案與后續(xù)12層36GB HBM3E解決方案；使用單片晶粒具低延遲與低功耗優(yōu)勢(shì)的DDR5 RDIMM；支持NVIDIA Grace CPU的LPDDR5X存儲(chǔ)解決方案與LPCAMM2模組；可提供AI與存儲(chǔ)器工作負(fù)載所需的容量、頻寬、彈性的CXL存儲(chǔ)器模組，并攜手MemVerg
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集邦咨詢：存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不
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2024年，存儲(chǔ)新技術(shù)DDR、HBM等大放異彩！

邁過2023年的經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)行業(yè)下行周期，2024年存儲(chǔ)市場起勢(shì)，存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。為了適配近兩年人工智能熱浪需求，存儲(chǔ)新技術(shù)革新步伐加速，DDR、LPDDR、GDDR新技術(shù)在2024年迎來放量周期；HBM加速邁進(jìn)，HBM3/HBM3e持續(xù)突破，有望帶動(dòng)存儲(chǔ)市場迸發(fā)新的活力。一2024是DRAM技術(shù)迸發(fā)活力的一年從1998年三星生產(chǎn)出最早的商用DDR SDRAM芯片，到DDR1、DDR2、DDR3、DDR4的延續(xù)，再到今年躍升主流的DDR5，和即將到來的DDR6、DDR7，DRAM技術(shù)還在持續(xù)突破。按照不同的
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DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個(gè)電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時(shí)，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時(shí)間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個(gè)數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時(shí)，如果有一個(gè)完整的電源平
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你所需要知道的HBM技術(shù)

在2024年即將到來之際，多家機(jī)構(gòu)給出預(yù)測(cè)，認(rèn)定生成式AI將成為2024年的增長重點(diǎn)之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應(yīng)用，這股大火一直燒到了上游芯片領(lǐng)域，根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，2023年和2024年，AI服務(wù)器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時(shí)，也極大帶動(dòng)了市場對(duì)新一代內(nèi)存芯片HBM（高帶寬內(nèi)存）的需求。 HBM是何方神圣？首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC都是什么？一次性搞清楚！

簡單解釋ROMROM：只讀存儲(chǔ)器，內(nèi)容寫入后就不能更改了，制造成本比較低，常用于電腦中的開機(jī)啟動(dòng)如啟動(dòng)光盤bios，在系統(tǒng)裝好的電腦上時(shí)，計(jì)算機(jī)將C盤目錄下的操作系統(tǒng)文件讀取至內(nèi)存，然后通過cpu調(diào)用各種配件進(jìn)行工作這時(shí)系統(tǒng)存放存儲(chǔ)器為RAM。PROM：可編程程序只讀存儲(chǔ)器，但是只可以編寫一次。EPROM：可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，可重復(fù)使用。EEPROM：電子式可抹除可編程只讀存儲(chǔ)器，類似于EPROM但是摸除的方式是使用高電場完成。RAMRAM：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，也叫主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器
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燦芯半導(dǎo)體推出兩項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)用于DDR物理層

一站式定制芯片及IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體日前宣布推出用于高速DDR物理層中的Zero-Latency （零延遲）和True-Adaptive（真自適應(yīng)）兩項(xiàng)技術(shù)。這兩項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)開始在12/14 FinFET, 22/28nm的DDR4/LPDDR4,4x高性能物理層IP上進(jìn)行部署，將為客戶帶來更高效、更穩(wěn)定的全新體驗(yàn)。 Zero-Latency （零延遲）技術(shù)在讀數(shù)據(jù)通路上，采用了兩種可選的、獨(dú)特的采樣方式進(jìn)行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換，而不像其他DDR物理層供貨商采用FIFO進(jìn)行跨時(shí)鐘域轉(zhuǎn)換，此技術(shù)將延遲降低
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7200MHz! DDR4內(nèi)存超頻記錄被刷新

　　DDR4內(nèi)存已經(jīng)誕生了有10年之久，從一開始的2133MHz頻率到后期逐漸站上2400MHz、2666MHz，一直到工藝與電路架構(gòu)升級(jí)后，現(xiàn)在民用普遍的3200MHz和性能玩家追捧的4166MHz?？梢哉f這十年以來，DDR4內(nèi)存的頻率也是有了快翻倍的提升?！　《涨埃谐l愛好者將DDR4內(nèi)存的頻率超頻至7200MHz，打破了世界紀(jì)錄。該記錄由微星MEG Z590 Unify-X主板創(chuàng)造，超頻內(nèi)存上使用了兩條士頓的HyperX Predator 8GB內(nèi)存，組成16GB雙通道。為了能讓內(nèi)存實(shí)現(xiàn)如此高頻
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新思科技與GF合作為12LP+FinFET解決方案開發(fā)DesignWare IP產(chǎn)品組合

要點(diǎn)：用于GF 12LP+解決方案的DesignWare IP核產(chǎn)品組合包括USB4、PCIe 5.0、Die-to-Die HBI和112G USR/XSR、112G Ethernet、DDR5、LPDDR5、MIPI、OTP NVM等兩家公司之間的長期合作已成功實(shí)現(xiàn)了DesignWare IP核從180納米到12納米的開發(fā)，可應(yīng)用于廣泛領(lǐng)域新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）今日宣布與GLOBALFOUNDRIES?（GF?）開展合作，開發(fā)用于G
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NVIDIA選用新思科技經(jīng)驗(yàn)證DesignWare DDR IP核

重點(diǎn)：高質(zhì)量DesignWare DDR PHY IP核為NVIDIA提供無與倫比的性能、延遲和電源效率DDR PHY支持DDR5/4的每個(gè)通道多個(gè)DIMM，滿足NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)速率和內(nèi)存容量要求基于固件的現(xiàn)場可升級(jí)訓(xùn)練可提高通道的穩(wěn)定性和可靠性，并且有助于算法更新，從而降低采用新內(nèi)存協(xié)議的風(fēng)險(xiǎn)新思科技（Synopsys, Inc.）近日宣布，NVIDIA的網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門Mellanox將采用經(jīng)驗(yàn)證的DesignWare? DDR5/4 PHY IP核，以滿足其針對(duì)高性能計(jì)算和人工智能應(yīng)用的Infin
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新思科技VCS被Graphcore采用

新思科技宣布，Graphcore采用新思科技基于Verdi?調(diào)試的VCS?仿真解決方案，驗(yàn)證其最近推出Colossus? GC200智能處理單元(IPU)，該產(chǎn)品足以改變行業(yè)游戲規(guī)則。Graphcore的第二代IPU是有史以來最復(fù)雜的微處理器，擁用594億個(gè)晶體管和1472個(gè)獨(dú)立處理器內(nèi)核。新思科技VCS讓Graphcore能夠?yàn)槠浯笠?guī)模平行IPU設(shè)計(jì),特別針對(duì)機(jī)器智能(machine intelligence)工作負(fù)載,顯著提高仿真吞吐量。Graphcore芯片業(yè)務(wù)副總裁Phi
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Tenstorrent采用新思科技的廣泛DesignWare IP組合

重點(diǎn)：Tenstorrent采用DesignWare PCI Express 4.0、ARC HS48處理器和LPDDR4 IP，一次性完成其Graysull 人工智能（AI）處理器芯片的硅晶設(shè)計(jì)PCI Express 4.0控制器與PHY IP達(dá)到最高x16鏈接寬度，可處理超過36dB的信道損耗，提供低延遲和高吞吐量連接采用超標(biāo)量架構(gòu)的四核ARC HS48處理器IP提供卓越的節(jié)能性能和可擴(kuò)展性低延遲LPDDR4控制器IP提供內(nèi)存電源狀態(tài)的自動(dòng)優(yōu)化，以實(shí)現(xiàn)低功耗以及高可靠性的高級(jí)RAS功能新思科技（Syn
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燦芯半導(dǎo)體為NVDIMM OEM提供完整解決方案

國際領(lǐng)先的定制化芯片（ASIC）設(shè)計(jì)方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應(yīng)商——燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導(dǎo)體”）近日對(duì)外宣布為一家著名的NVDIMM供應(yīng)商提供完整的NVDIMM控制器芯片解決方案。非易失性雙列直插式內(nèi)存模塊（NVDIMM）是計(jì)算機(jī)的一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,即使在遇到供電不穩(wěn)、系統(tǒng)崩潰或正常關(guān)機(jī)等斷電情況時(shí)仍保留其內(nèi)容。NVDIMM可快速恢復(fù)現(xiàn)場，提高應(yīng)用程序性能，數(shù)據(jù)安全性和系統(tǒng)崩潰修復(fù)時(shí)間，加強(qiáng)了固態(tài)驅(qū)動(dòng)器（SSD）的耐用性和可靠性。當(dāng)前，大多數(shù)NVDIMM控制器采用F
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